Samsung’un yeni DRAM Çözümü TSV teknolojisinin, ana akım yüksek kapasiteli bellek uygulamalarına doğru yol aldığının sinyalini veriyor.
2014 yılında, 3B TSV DDR4 DRAM (64 GB) ürününü piyasaya sunan Samsung, bu yeni TSV tescilli çift taraflı bellek modülü (RDIMM) ile kurumsal seviyede ultra yüksek kapasiteli belleği piyasaya sürmeye hazırlanıyor. Yüksek kapasite ve verimliliğe sahip Samsung’un yeni TSV DRAM modülü; yüksek çalışma hızının yanı sıra güvenilirlik de sergiliyor.
128 GB TSV DDR4 RDIMM, her biri gelişmiş TSV ambalajlama teknolojisiyle bir araya getirilmiş dört adet 20 nanometre (nm) tabanlı 8 gigabit (Gb) çip içeren 36 adet 4 GB DRAM paketine yerleştirilmiş toplamda 144 DDR4 çipten oluşuyor. TSV’nin gelişmiş devre sisteminden yararlanan Samsung 128 GB TSV DDR4 modülünün, her bir 4 GB’lık paketinin ana çipinin modül performansını ve güç tüketimini optimize etmek için veri tamponu işlevine sahip özel bir tasarımı bulunuyor.
Samsung, pazarda TSV teknolojisi üretimini hızlandırarak ve üretimde üretkenliğini artırmak adına 20 nm 8 Gb DRAM çipleri yükselterek ultra yüksek kapasiteli DRAM için artan talebe yanıt veriyor. Samsung, kısa vadede 128 GB yükü azaltılmış DIMM’ler (LRDIMM’ler) dahil olmak üzere yüksek performanslı TSV DRAM modüllerinin yenive eksiksiz bir serisini sunmayı planlıyor. Samsung’un bu alanda yürüttüğü çalışmalar arasında; TSV uygulamalarını yüksek bant genişlikli bellek (HBM) ile tüketici ürünlerine yoğunlaşan kurumsal sunucu ihtiyaçlarını karşılayan ve veri transferinde de hızları 2.667 Mbps ve 3.200 Mbps’ye kadar çıkan modüller bulunuyor.